切割前準(zhǔn)備

貼膜：一般會(huì)在晶圓背面貼上藍(lán)膜或UV膜。藍(lán)膜成本較低，通常需機(jī)械手段結(jié)合溫度輔助來剝離芯片；UV膜可通過紫外線照射改變粘性，在劃片完成后經(jīng)紫外光照射，粘性降低，便于芯片剝離。

設(shè)備調(diào)試與參數(shù)設(shè)定：將貼好膜的晶圓放入劃片機(jī)，在自動(dòng)生產(chǎn)前，先手動(dòng)送進(jìn)一片晶圓量測切割道寬度、AL pad大小等，并檢查確認(rèn)Die size等，進(jìn)行“教讀”過程，即通過參數(shù)設(shè)定告訴機(jī)器如何切割，模擬切割一次，調(diào)好參數(shù)后再進(jìn)行全自動(dòng)切割。

切割過程工藝

切割方式

• 全切：最基本的方法，通過切到固定材料（如膠帶）來完全切割工件。

• 半切：切割到工件中間產(chǎn)生切槽，通過連續(xù)切槽工藝，可生產(chǎn)梳狀和針狀點(diǎn)形。

• 雙切：使用雙切刀片同時(shí)對(duì)兩條生產(chǎn)線進(jìn)行全切或半切，雙切刀片具有兩個(gè)主軸，可實(shí)現(xiàn)高通量。

• 階梯切割：使用具有兩個(gè)主軸的雙切刀片分兩個(gè)階段進(jìn)行全切割和半切割，使用針對(duì)切割晶圓表面布線層和剩余硅單晶優(yōu)化的刀片，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量加工。

• 斜切：在階梯切割過程中使用半切邊具有V形邊緣的刀片將晶圓分兩階段切割，倒角過程在切割過程中進(jìn)行，可實(shí)現(xiàn)高模具強(qiáng)度和高質(zhì)量加工。

關(guān)鍵控制技術(shù)

刀片負(fù)載監(jiān)測：新一代的劃切系統(tǒng)能夠自動(dòng)監(jiān)測施加在刀片上的負(fù)載或扭矩，對(duì)于每一套工藝參數(shù)，都存在一個(gè)刀片質(zhì)量下降和背面碎片出現(xiàn)的極限扭矩值。通過監(jiān)測切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的關(guān)系，并測量相關(guān)變量，及時(shí)發(fā)現(xiàn)工藝偏差和損傷的形成，進(jìn)而實(shí)時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，使扭矩不超過極限值，同時(shí)獲得最大的進(jìn)給速度。

冷卻劑流量穩(wěn)定：以穩(wěn)定的扭矩運(yùn)轉(zhuǎn)的劃切系統(tǒng)，要求進(jìn)給率、心軸速度和冷卻劑流量保持穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加的阻力會(huì)造成扭力，最新一代的劃切系統(tǒng)通過精確控制冷卻劑流量，來維持穩(wěn)定的流速和阻力，進(jìn)而保持冷卻劑扭矩影響的穩(wěn)定性。

切割后處理

切割完成后，若使用的是UV膜，需進(jìn)行解UV工序，使膜的粘性降低，以便將芯片從膜上順利剝離。之后還可能會(huì)對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行清洗、檢測等操作，去除殘留的碎屑和冷卻液等雜質(zhì)，檢查芯片的切割質(zhì)量，如是否存在崩邊、毛刺、裂紋等缺陷，對(duì)不符合質(zhì)量要求的芯片進(jìn)行標(biāo)記或篩選。