晶圓經過背面研磨減薄后，經由背面蒸鍍金屬，切片加工而成的芯片將在器件熱阻降低、工作散熱和冷卻、封裝厚度減薄等各個方面實現很大的改善。

在晶圓背面金屬化過程中，一般選擇鈦、鎳、銀作為三層背面金屬，厚度在10μm以內。

通常，切割的晶圓的質量標準是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計，當尺寸大于25μm時，可以看作是潛在的受損，50μm的平均大小可以接受。當然，具體切割要求也要根據晶圓的厚度來定。

晶圓背面金屬化的主要目的是使接觸電極形成良好的歐姆接觸，經過背面金屬化的芯片具有飽和壓降小、焊接可靠、通態源漏電阻小、散熱性好、工作能耗低等特點，常用于中小功率晶體管。

切片系統與刀片之間的協作是必要的，刀片在晶圓切片工藝優化中起著主要的作用。金剛石尺寸、金剛石含量和粘結劑的類型，是決定刀片特性的三個關鍵參數，決定著刀片的壽命和切削質量，改變任何一個這些參數都將直接影響刀片特性與性能。為一個給定的切片工藝選擇最佳的刀片需要在刀片壽命與切削質量之間作出平衡。