砷化鎵(GaAs)是國際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導(dǎo)體材料中價格昂貴的一種，被冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。

砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力損傷,導(dǎo)致產(chǎn)品失效和使用性能降低。

用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可用于生產(chǎn)二極管、場效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等，主要應(yīng)用于高端軍事電子、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無線通信系統(tǒng)、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領(lǐng)域。

目前，基于砷化鎵襯底的led發(fā)光芯片在市場上有大量需求。

切割砷化鎵晶圓，通常采用輪轂型電鍍劃片刀，選刀不當(dāng)極易造成晶片碎裂，導(dǎo)致成品率偏低。用極細(xì)粒度金剛石（4800#，5000#）規(guī)格的刀片，能有效減少晶片碎裂，但切割之前需要進(jìn)行修刀。